SUNCOYJ – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

вчера

Константин Кузьминов (г. Заполярный)

Китайская компания SUNCOYJ осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике, телекоммуникационном оборудовании, безопасности и многих других областях. Ассортимент постоянно расширяется за счет применения новых технологий и моделей корпусов. Список преимуществ дополняет стабильность поставок.

Производство силовых полупроводниковых компонентов является ключевой отраслью, которую поощряет и поддерживает Китай. В этой стране важность силовой полупроводниковой промышленности поднята до национального стратегического уровня. Компания Jiangsu Yangjie Electronics (SUNCOYJ), имея собственное производство полного цикла, выпускает такие компоненты, как Si- и SiCFET-транзисторы, дискретные IGBT и IGBT-модули, SiC-диоды, диодные мосты, диоды Шоттки, TVS-диоды, TVS-тиристоры и многое другое, в чем за время своей деятельности добилась больших успехов (таблица 1). Продукция компании применяется ведущими мировыми производителями.

Таблица 1. История компании SUNCOYJ

После приобретения компании MCC модель маркетинга SUNCOYJ изменилась на концепцию «двойной бренд + двойные тиражи». Компания сосредоточилась на продвижении бренда MCC на европейском и американском рынках, а YJ – в Китае и Азиатско-Тихоокеанском регионе. Направление международного бизнеса активно расширяется: недавно SUNCOYJ инвестировал средства и создал дочернюю компанию во Вьетнаме (предварительное название: Mico Co., Ltd.), филиалы в Японии и Сингапуре (YJ Technology Japan Co., Ltd. и Micro Commercial Components Singapore Pte. Ltd., соответственно).

SUNCOYJ – одна из немногих компаний, которая осуществляет полный цикл производства и продаж: от сырья до поставок готовой продукции клиентам (таблица 2). Кроме того, она не только самостоятельно производит чипы, но и параллельно использует сторонние фабрики. Общую модель компании можно определить как «IDM + Fabless». Такая политика позволяет SUNCOYJ и быть независящим от других производителем полупроводниковых компонентов, и вместе с тем более динамично реагировать на изменения рынка.

Таблица 2. Производственная цепочка SUNCOYJ на основе модели IDM

Продукция SUNCOYJ широко применяется в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике, телекоммуникационном оборудовании, безопасности и многих других областях. Она делится на три основных сегмента:

• исходные материалы: монокристаллические кремниевые стержни (слитки), кремниевые пластины и эпитаксиальные пластины;
• 5-, 6- и 8-дюймовые полупроводниковые пластины различных типов полупроводников;
• корпусированные компоненты: MOSFET, IGBT, SiC, диоды (выпрямительные, защитные, Шоттки, сигнальные, фотодиоды, быстровосстанавливающиеся и так далее), супрессоры, диодные мосты, биполярные транзисторы (в том числе цифровые) и другие виды полупроводниковых компонентов.

Качество продукции SUNCOYJ постоянно растет благодаря возможностям анализа отказа компонентов и поддержке клиентов в применении дискретных полупроводниковых устройств. Процедуры и технологические возможности анализа отказов, используемые компанией, представлены на рисунке 1.

Рис. 1. Процедуры и возможности анализа отказов компании SUNCOYJ

SUNCOYJ модернизировала свою внутреннюю систему контроля качества и использует стандарт немецкой автомобильной промышленности VDA6.3 для оценки производственного процесса (компании присвоен рейтинг VDA6.3, уровень А). Активно продвигая применение технологий промышленного интернета вещей, EAP и PLC в АСУ производства, SUNCOYJ реализовал автоматизацию управления критически важными технологическими этапами, что улучшило качество выпускаемой продукции.

Полупроводниковые компоненты производства SUNCOYJ

Компания предлагает огромный ассортимент диодов различных технологий исполнения, а также сборки и диодные мосты, которые охватывают большинство областей применения, включая автомобильную (AEQ-100/101). Современные технологии корпусирования позволяют получить энергоэффективные и компактные компоненты различной мощности. В таблицах 3 и 4 приведены примеры диодов и диодных мостов, выпускаемых SUNCOYJ и имеющих корпуса различных форм-факторов (рисунки 2 и 3). Многие из них уже доступны для заказа со склада КОМПЭЛ.

Рис. 2. Корпуса выпрямительных и сигнальных диодов SUNCOYJ

Таблица 3. Выпрямительные и сигнальные диоды и сборки SUNCOYJ

Тип	Наименование	Прямой ток IFAV (IF), А	Обратное напряжение VRRM (VR), В	Прямое напряжение VF, В (при токе, А)	Макс. время восстанов-ления trr, нс	Корпус
Шоттки	RB521S-30L2	0,2	(30)	0,5 (0,2)	–	DFN1006-2L
	MBR0540	0,5	(40)	0,55 (0,5)	–	SOD-123
	SS36	3,0	60	0,70 (3,0)	–	DO-214AB (SMC)
Быстрые (малое время восстановления)	F15D	1,5	200	1,3 (1,5)	250	SOD-123FL
	F1J	1,0	600	1,3 (1,0)	250
	GR2BA	2,0	100	1,3 (1,5)	250	DO-214AC (SMA)
Ультрабыстрые	MURS360	3,0	600	1,25 (3,0)	50	DO-214AB (SMC)
	ES2BA	2,0	100	0,95 (2,0]	35	DO-214AC (SMA)
	ES1J	1,0	600	1,7 (1,0)	35
	LL4148	0,15 (0,3)	100 (75)	1,0 (0,05)	8	MiniMELF (LL-34)
Общего назначения	1N4007	1,0	1000	1,0 (1,0)	–	DO-204AL(DO-41)
	G1GQ	1,0	400	1,1 (1,0)	–	SOD-123FL
Высокоэффективные	HS1M	1,0	1000	1,7 (1,0)	75	DO-214AC (SMA)
Переключающие	BAV99	(0,2)	100 (75)	0,855 (0,01)	4	SOT-23
	1N4148WS	0,15	100 (75)	1,0 (0,01)	4	SOD-323
	1SS400	(0,225)	90 (80)	1,2 (0,1)	4	SOD-523
Для сварочных аппаратов	ZW10500-200	10500	200	1,05 (5000)	–	W2
	ZW12000-400	12000	400	1,05 (5000)	–	W3
	ZW18000-400	18000	400	1,05 (5000)	–	W5
SiC SBD	YJD112010DG1	10 (Tc=155°C)	1200	2,25 (10) при Tj = 175°C	–	TO-252
	YJD112010PG1					TO-220AC
	YJD112020NG1	20 при Tc = 155°C		2,03 (20) при Tj = 175°C	–	TO-247AC

Рис. 3. Корпуса диодных мостов

Таблица 4. Диодные мосты SUNCOYJ

Самый простой способ ограничить и/или стабилизировать напряжение на определенном уровне –использование стабилитрона. SUNCOYJ выпускает более трех сотен моделей этих устройств. В таблице 5 представлена часть ассортимента компании в корпусах SMA, SOD-123, SOD-323, SOT-23 и MELF (рисунок 4) для поверхностного монтажа.

Рис. 4. Корпуса стабилитронов

Таблица 5. Стабилитроны SUNCOYJ

Наименование	Напряжение стабилизации при токе 5 мА, В			Максимальный ток утечки IR, мкА (VR, В)	Мощность рассеивания, Вт	Корпус
	Мин.	Ном.	Макс.
MMSZ5232B	5,32	5,6	5,88	0,9 (2)	0,5	SOD-123
BZT52C10S	9,4	10	10,6	0,2 (7,0)	0,2	SOD-323
BZX84B3V3	3,21	3,3	3,39	15 (1)	0,35	SOT-23
DL4744A	–	15	–	5 (11,4)	1	MELF DO-213AB (LL-41)
SMA5918A	4,85	5,1	5,36	10,0 (2,0)	1,5	DO-214AC (SMA)

Ограничение напряжения позволяет построить защиту цепей электронных приборов от всплесков перенапряжений, в частности от электростатических разрядов. Но наиболее эффективным в этом случае будет применение супрессоров (TVS- и ESD-диодов) или защитных тиристоров (TSS), более мощных и быстродействующих, чем стабилитроны. Однако собственная емкость супрессора может внести искажения в полезный сигнал, поэтому для высокочастотных линий, таких как антенны, интерфейсы USB, HDMI, DisplayPort, PCIe и другие, требуются особенные супрессоры с минимальной емкостью перехода. В ассортименте компании SUNCOYJ присутствуют не только необходимые варианты дискретных супрессоров, но и сборки, позволяющие защитить интерфейсы с учетом топологии линий данных и питания. Используемые типы корпусов DFN0603…DFN3020, FBP1608, SOD-123/323/SOD-523, SOP8, SOT-23/363/523. В таблицах 6 и 7 представлены защитные диоды и сборки SUNCOYJ, доступные для приобретения в КОМПЭЛ. Внешний вид их корпусов показан на рисунках 5 и 6.

Рис. 5. Корпуса TVS-диодов

Таблица 6. TVS-диоды SUNCOYJ

Рис. 6. Корпуса ESD-диодов и сборок

Таблица 7. ESD-диоды и сборки SUNCOYJ

Наименование	Напряжение, В			Максимальный ток утечки IR, мкА	Максимальная емкость перехода Cj на частоте 1 МГц, пФ	Мощность Ppk для импульса 8/20 мкс, Вт	Корпус
	VRWM	VBR	VCLAMP
ASM05	5	6	–	0,5	160	320	SOT-23
ESD12VE	12	14	17	0,1	110	650
ESD2CAN24T2Q	24	28,3	38	0,1	30	352	SOT-23
ESD3V3D5	3,3	5	14	0,08	120	224	SOD-523
ESDSLC0504S2	5	6	15	0,5	0,8	75	SOT-23-6L

Компания SUNCOYJ выпускает более 500 различных МОП-транзисторов (MOSFET) для широкого спектра применений, включая автомобильные и высоковольтные решения, в том числе транзисторы с ESD-защитой затворов. Варианты конфигураций и диапазоны допустимых напряжения «сток-исток» и тока стока:

• Для автомобильных применений:

• • N-канальные 20…150 В, 0,22…340 А;
  • сборки N+N 40…100 В, 0,22…85 А;
  • P-канальные -20…-100 В, -0,19…80 А;
  • сборки N+P (два варианта) 20/-20 В 2/1,5 А и 100/-100 В 40/-12 А.

• Высоковольтные N-канальные транзисторы:

• • технологии SJ (Super Junction) 600…900 В, 5…33 А;
  • SiC (на основе карбида кремния) 650…1700 В, 8,3…155 А.

• Средне- и низковольтные:

• • N-канал 20…250 В, 0,15…300 А;
  • P-канал -15…-100 В, -0,17…-115 А.

• Сборки из двух транзисторов:

• • комплементарные пары N+P – 20/-20…100/-100 В, 0,5/-0,5…40/-40 А;
  • N+N 20…100 В, 0,2…50 А;
  • P+P -20…-100 В, -0,15…30 А;
  • полумосты (N+N с соединенными стоком одного транзистора и истоком другого) 30 В, 30/40 А.

На складе КОМПЭЛ уже находится большинство самых популярных МОП-транзисторов SUNCOYJ в корпусах DFN3333-8L, SOT-23/23-6L, TO-220/247/247-4L/252 (рисунок 7). Характеристики MOSFET приведены в таблице 8.

Рис. 7. Корпуса транзисторов

Таблица 8. MOSFET производства компании SUNCOYJ

Для применения в силовой электронике компания SUNCOYJ предлагает биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) и модули на их основе (в том числе c интегрированными SiC-диодами) с напряжением «коллектор-эмиттер»:

• 650 В:

• • транзисторы с током 10…160 А в корпусах TO-220/247/263/264;
  • модули с током 150,300 и 400 А в корпусах C1 и C2).

• 1200 В:

• • транзисторы с током 10…75 А в корпусах TO-247(Plus)/264;
  • модули с током 10…600 А в корпусах C1, C2, E1, E2, E3, N2, N3, P2, P3).

Данные компоненты выполнены по технологиям Planar NPT, Planar FS, Groove FS, Trench FS и Micro Grooves FS. В настоящее время SUNCOYJ предлагает транзисторы и модули, перечисленные в таблицах 9 и 10. В этом году компания планирует выпуск силовых модулей с рабочими напряжениями 1700 В, а в перспективе – с допустимым напряжением 3300 и 6500 В.

Таблица 9. IGBT производства компании SUNCOYJ

Таблица 10. Cиловые модули производства SUNCOYJ

Наименование	Топология	Напряжение, В	Ток, А	Рассеиваемая мощность, Вт	Корпус	Габариты, мм
MG75HF12TLC1	Полумост	1200	75	530		94x34x30,3
MG300HF12TLC2			300	1700		106,4x62x30
MG450HF12TLC2			450	2301
MG75TF12E2A	3-фазный мост + NTC		75	440		122×62,5×20,5
MG450HF12TLE3	Полумост + NTC		450	2340		152x62x20,8
MG600HF12TLE3			600	3333

В ассортимент биполярных и цифровых транзисторов SUNCOYJ входит большое количество замен популярных стандартных моделей: номенклатура компании состоит из более трех сотен наименований, включая варианты с малым напряжением насыщения и сборки из двух транзисторов. В таблицах 11 и 12 представлены доступные со склада КОМПЭЛ биполярные транзисторы SUNCOYJ в корпусах SOT-23/323/89, а также цифровые транзисторы в корпусах SOT-23/323/363 (рисунок 8).

Рис. 8. Корпуса транзисторов

Таблица 11. Биполярные транзисторы SUNCOYJ

Таблица 12. Цифровые транзисторы (транзисторы со встроенными резисторами) производства SUNCOYJ

Наименование	Полярность	Интегрированные резисторы		Ток коллектора, IC, мА	Максимальное напряжение, В		Корпус	Схема
		R1, кОм	R2/R1		Вход	Коллектор
DTA123JCA	PNP	1,54…2,86	17…26	-100	-12…5	-50	SOT-23
DTA143ZUA	PNP	3,29…6,11	8…12	-100	-30…5	-50	SOT-323
DTA114YUA	PNP	7…13	3,7…5,7	-100	-40…6	-50
DTC143ZCA	NPN	3,29…6,11	8…12	100	-5…30	50	SOT-23
DTC114YUA	NPN	7…13	3,7…5,7	100	-6…40	50	SOT-323
UMH2N	NPN+NPN	32,9…61,1	0,8…1,2	100	-10…40	50	SOT-363
UMD12N	NPN+PNP	32,9…61,1	0,8…1,2	100	-10…40	50
				-100	-40…10	-50

Компоненты, рассмотренные в данной статье, лишь частично охватывают весь широкий спектр продукции, выпускаемой компанией SUNCOYJ. Ее ассортимент постоянно расширяется с появлением новых технологий и вариантов корпусов. Компания предлагает и полупроводниковые пластины, и интегральные схемы управления питанием (ключи, LDO и шунтирующие регуляторы, а также контроллеры DC/DC).

Высокие требования к безопасности цепочек поставок дают идеальную возможность для развития предприятий по производству силовых полупроводников в КНР. Их тесное сотрудничество с российскими компаниями не только позволяет разработчикам использовать качественные и передовые полупроводниковые компоненты, но и обеспечивает стабильность их поставок. Сотрудники КОМПЭЛ готовы предоставить дополнительную информацию о характеристиках, применении и условиях заказа продукции SUNCOYJ.