1N4007

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1 кВ, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 12 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= UF4007 (DC)
 

UF4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт
P= 1N4007 (DC)
 

1N4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 1000 шт
P= UF4007G (LRC)
 
DO41
 
P= 1N4007 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= HER108G (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= FR107GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= FR107G A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= HER108GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007 (TSC)
 

UF4007 (ONS-FAIR)
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= FR107G (LRC)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= 1N4007G (ANBON)
 
DO41
 
P= 1N4007G (LRC)
 
DO41
 
P= 1N4007GP (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= 1N4007G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= BA159GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= BA159 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= FR107G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= HER108 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007R0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= UF4007 A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- RL207 (DC)
 

RL207 (DIODES)
DO41 в ленте 1500 шт Выпрямительный диод - [DO-15]
A- 1N4006 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; N: 1

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 1N4001 THRU 1N4007 COMPLIANT General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 50 100 200 400 600 800 1000 VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =50℃ IF(AV) A 1.0 Surge(Non-repetitive)Forward Current @ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+125 Repetitive Peak Reverse Voltage ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode Typical junction capacitance VFM V IRRM1 μA IRRM2 Cj pF TEST CONDITIONS 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 IFM=1.0A 1.0 Ta=25℃ 2.5 Ta=100℃ 50 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 12 1N4006 1N4007 ■Thermal Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Thermal Resistance(Typical) RθJ-A ℃/W 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 50 ■Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKAGE CODE UNIT WEIGHT(g) MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 1N4001~1N4007 D1 Approximate 0.27 Approximate 5000 5000 50000 Tape 1N4001~1N4007 C1 Approximate 0.27 Approximate 1000 1000 50000 Bulk 1/4 S-A009 Rev.2.0,28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 1N4001C1 

Author:

Дата модификации: 19.04.2017

Размер: 201.7 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.