DF25NA80

SUNCOYJ
RoHS DF25NA80 THRU DF25NA160 COMPLIANT Three Phase Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E230084 ● I Thin single in-line package ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for switching power supply, home appliances, office equipment, industrial automation appli...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier, 3 Phase, 25A, 800V
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS DF25NA80 THRU DF25NA160 COMPLIANT Three Phase Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E230084 ● I Thin single in-line package ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for switching power supply, home appliances, office equipment, industrial automation applications. + ~~ ~‐ Mechanical Data ● Package:TSB-5 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ① ② ③ ④ ⑤ ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code DF25NA80 DF25NA100 DF25NA160 DF25NA80 DF25NA100 DF25NA160 800 1000 1600 VRRM V IO A 25 IFSM A 400 I2t AS 666 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load,With heatsink Tc =87℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60HZ half-sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃， Rating of per diode 2 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS DF25NA80 DF25NA100 VF V IFM=12.5A 1.1 IRRM μA VRM=VRRM 10 DF25NA160 1/4 S-C023 Rev.1.3,14-Feb-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на DF25NA100 

Microsoft Word - DF25NA80 THRU DF25NA160.doc

Дата модификации: 14.02.2019

Размер: 181.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N4936 (YJ)