Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, пр...
Китайская компания SUNCO начала выпуск новых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у TOLL гораз...
Компания SUNCO (Китай) представила новый дискретный IGBT-транзистор DGW50N120CTL1J в корпусе TO-247 (рисунок 1). Его номинальное значение тока составляет 50 А, а напряжение пробоя – 1200 В. Важным преимуществом транзистора является наличие в нем о...
Китайская компания SUNCO выпустила новую серию IGBT-модулей MG600H напряжением 1200 В и током 600 A (таблица 1). Силовые модули выпускаются в корпусах 62 mm (C2) и Econodual (E3). Они предназначены для применения в частотных преобразователях элект...
Современная тенденция в развитии силовой электроники – переход от кремния к карбиду кремния (SiC). Главная особенность SiC – более широкая запрещенная зона полупроводника. На практике это означает возможность работы при более высоких температурах,...
Использование в выпрямителях готовых модулей диодных мостов вместо набора дискретных элементов является современной тенденцией. Благодаря этому производители электроники получают такие преимущества, как меньшие габариты, простота монтажа и более в...
Константин Кузьминов (г. Заполярный)
Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике, телекоммуникац...
Китайская компания SUNCO выпускает дискретные IGBT-транзисторы DGW80N120ATL1BQ и DGW80N120BTL1BQ в популярном корпусе TO-247 с номинальными значениями тока и напряжения 80 А и 1200 В, соответственно. Различие между ними заключается в том, что перв...
Применение готовых диодных мостов вместо набора дискретных элементов имеет ряд преимуществ, среди которых:
меньшие габариты;
простота монтажа;
более высокая надежность, поскольку электрические соединения между диодами защищены корпусом модуля от ...
Ведущий китайский производитель дискретных силовых полупроводников компания SUNCO выпустила линейку быстрых дискретных IGBT-транзисторов с напряжением «коллектор-эмиттер» до 650 В. Компоненты нового поколения выполнены по технологии Micro trench, ...