Транзисторы SJ MOSFET от SUNCO – решение для напряжений до 600 В 20 августа Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, пр... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиTO-247SJ MOSFETTOLL
Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы SUNCO в корпусе TOLL для компактных устройств высокой мощности 13 августа Китайская компания SUNCO начала выпуск новых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у TOLL гораз... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETкомпактный корпусTOLL
DGW50N120CTL1J – новый дискретный IGBT от SUNCO в корпусе TO-247 с быстрым обратным диодом 9 августа Компания SUNCO (Китай) представила новый дискретный IGBT-транзистор DGW50N120CTL1J в корпусе TO-247 (рисунок 1). Его номинальное значение тока составляет 50 А, а напряжение пробоя – 1200 В. Важным преимуществом транзистора является наличие в нем о... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиIGBTвысоковольтное применениепреобразователь частоты
Новые IGBT-модули SUNCO 12 класса в популярных корпусах C2 (62мм) и E3 (Econodual) 1 августа Китайская компания SUNCO выпустила новую серию IGBT-модулей MG600H напряжением 1200 В и током 600 A (таблица 1). Силовые модули выпускаются в корпусах 62 mm (C2) и Econodual (E3). Они предназначены для применения в частотных преобразователях элект... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиIGBT62 mmEconoDual
Новинка от SUNCO: SiC-транзисторы в корпусе TOLL 26 июля Современная тенденция в развитии силовой электроники – переход от кремния к карбиду кремния (SiC). Главная особенность SiC – более широкая запрещенная зона полупроводника. На практике это означает возможность работы при более высоких температурах,... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETкомпактный корпусTOLL
Новые диодные мосты SUNCO серии MT-W для широкого спектра применений 19 июля Использование в выпрямителях готовых модулей диодных мостов вместо набора дискретных элементов является современной тенденцией. Благодаря этому производители электроники получают такие преимущества, как меньшие габариты, простота монтажа и более в... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникивысоковольтное применениеДиодный мосткомпактный корпус
SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов 16 июля Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике, телекоммуникац... телекоммуникациитерминалы продажуправление питаниемуправление двигателемSUNCOстатьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTTVS-диодыДиодыESD-защита
Новые IGBT SUNCO в корпусе TO-247 для автотранспорта и промышленности 6 июня Китайская компания SUNCO выпускает дискретные IGBT-транзисторы DGW80N120ATL1BQ и DGW80N120BTL1BQ в популярном корпусе TO-247 с номинальными значениями тока и напряжения 80 А и 1200 В, соответственно. Различие между ними заключается в том, что перв... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиIGBTPTCTO-247
Новые модули диодных мостов SUNCO серии SKBPC75 с повышенной устойчивостью к перегрузкам 30 мая Применение готовых диодных мостов вместо набора дискретных элементов имеет ряд преимуществ, среди которых: меньшие габариты; простота монтажа; более высокая надежность, поскольку электрические соединения между диодами защищены корпусом модуля от ... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникипассивацияДиодыДиодный мост
Быстрые IGBT SUNCO нового поколения для высокочастотного оборудования 16 мая Ведущий китайский производитель дискретных силовых полупроводников компания SUNCO выпустила линейку быстрых дискретных IGBT-транзисторов с напряжением «коллектор-эмиттер» до 650 В. Компоненты нового поколения выполнены по технологии Micro trench, ... управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиIGBTTO-247trench