YJD112010DG1

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1200 В, ток до 16 А, с падением напряжения 1.51 В, ёмкостью перехода 768.3 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Silicon Carbide Schottky Diode
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= G5S12010C (GPT)
 
TO252 в ленте 100 шт
 
 — — —
P= WSRSIC010120NPO (WAYON)
 
TO-252-3 DPAK в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD112010DG1 COMPLIANT Silicon Carbide Schottky Diode VRRM 1200V IF（135°C） 16A QC 54.1nC Features ● Positive temperature coefficient ● Temperature-independent switching ● Maximum working temperature at 175 °C ● Unipolar devices and zero reverse recovery current ● Zero forward recovery current ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● High-frequency operation ● Reduction of EMI Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO-252 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT Device marking code VALUE D112010DG1 Reverse voltage (repetitive peak) @ Tj=25°C VRRM V 1200 Reverse voltage (Surge Peak) @ Tj=25°C VRSM V 1200 VDC V 1200 IF A 33 16 10 IFSM A 85 Power Dissipation@ Tc=25°C Tc=110°C PTOT W 211 91 i2t Value@ Tc=25°C ,tp=10ms ∫i2dt A2 S 36 Tj ,Tstg °C -55 to +175 Reverse voltage (DC) @ Tj=25°C Continuous forward current @ Tc=25°C Tc=135°C Tc=157°C Non-repetitive peak forward surge current @ Tc=25°C, tp=10ms, Half Sine Wave Operating junction and Storage temperature range 1/5 S-SIC006 Rev.1.2, 28-Jan-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD112010DG1 

Microsoft Word - YJD112010DG1

Дата модификации: 28.01.2022

Размер: 583.8 Кб

5 стр.

    Публикации 0

    показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)