YJD18GP10A

SUNCO
RoHS YJD18GP10A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -18A ＜110 mΩ ＜120 mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJD120N04A
Внешний вид YJD120N04A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO18P10TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P= WMO09P10TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE01P13K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
P- CJU12P10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
P- CRTD680P10LQ (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD18GP10A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -18A ＜110 mΩ ＜120 mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power management ● Portable equipment ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS -100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V -18 TC=25℃ Drain Current A ID -12 Tc=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM -72 A EAS 72 mJ 72 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 29 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.35 1.7 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD18GP10A F1/F2 YJD18GP10A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E083 Rev.3.7,19-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD18GP10A 

Microsoft Word - YJD18GP10A Rev3.7

Дата модификации: 22.03.2022

Размер: 299.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)