YJD50GP06A

RoHS YJD50GP06A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -60 V -50 A <12 mΩ <15 mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity L...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE60P82AD (NCE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
±
P- IRF4905STRL (YOUTAI)
 

IRF4905STRL (INFIN)
TO252 в ленте 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJD50GP06A 

Дата модификации: 05.07.2023

Размер: 678.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.