YJD212040NCTG1
RoHS
YJD212040NCTG1
COMPLIANT
Silicon Carbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement)
VDS
1200V
ID(25°C)
63A
RDS(on)
40mΩ
Features
● High speed switching
● Essentially no switching losses
● Reduction of heat sink requirements
● Maximum working temperature at 150 °C
● High blocking voltege
● Fast Intrinsic diode with low recovery current
● High-frequency operation
● Halogen free, RoHS...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2473
- Норма упаковки: 1000 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2473 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | ASZM040120P (ANBON) | TO2473 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P= | ASZM032120T (ANBON) | TO2474 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
F~ | ATSCM33G120W (ATELECT) | TO2474 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJD212040NCTG1
Microsoft Word - YJD212040NCTG1
Дата модификации: 28.02.2023
Размер: 1.04 Мб
9 стр.
Публикации 4
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.