На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

8 июля
Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства. Э...
управление питаниемуправление двигателемAnbon SemiATSновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETTO-247TO-263

Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

26 июня
Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в переме...
управление питаниемJSCJновостьдискретные полупроводникиMOSFETIGBTTVSLDOШотткиМикроинвертор

Зарядные станции электротранспорта на основе компонентов JSCJ

18 июня
Стремительный рост электротранспортной индустрии требует постоянного совершенствования зарядной инфраструктуры. Время зарядки аккумуляторов – очень важный фактор эффективности, ведь его скорость позволяет компенсировать ограниченный запас хода и з...
автомобильная электроникауправление питаниемJSCJновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиMOSFETдиод ШотткиЗарядные станцииFRD

Высокопроизводительный частотный преобразователь на базе компонентов JSCJ

7 июня
Благодаря постоянному развитию промышленной автоматизации, расширению областей применения и все более широкому использованию электроприводов с частотными преобразователями технология их создания также постоянно совершенствуется и развивается. В бу...
управление питаниемуправление двигателемJSCJновостьдискретные полупроводникиIGBTдиод Шотткипреобразователь частотыFRD

Новые IGBT SUNCOYJ в корпусе TO-247 для автотранспорта и промышленности

6 июня
Китайская компания SUNCOYJ выпускает дискретные IGBT-транзисторы DGW80N120ATL1BQ и DGW80N120BTL1BQ в популярном корпусе TO-247 с номинальными значениями тока и напряжения 80 А и 1200 В, соответственно. Различие между ними заключается в том, что пе...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиIGBTPTCTO-247

Продукция JIEJIE для устройств быстрой зарядки

5 июня
Зарядные устройства (ЗУ) выходной мощностью 18…100 Вт (а также 120 Вт и выше) с одним или несколькими выходами USB Type-A и Type-C, имеющие поддержку протоколов быстрой зарядки (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTe...
управление питаниемуправление двигателемпотребительская электроникаJIEJIEновостьдискретные полупроводникиMOSFETESDPFCFRDLLC

Решения JIEJIE для управления аккумуляторными батареями

31 мая
Комфорт в жизни человека все больше зависит от наличия исправно работающих аккумуляторных батарей (АКБ). Смартфоны, игрушки, умные часы, медицинские электронные приборы и прочие портативные устройства, роботы-пылесосы, электротранспорт и инструмен...
управление питаниемуправление двигателемуниверсальное применениеJIEJIEновостьдискретные полупроводникиMOSFETBMSSGT (Split Gate Trench)

Новые модули диодных мостов SUNCOYJ серии SKBPC75 с повышенной устойчивостью к перегрузкам

30 мая
Применение готовых диодных мостов вместо набора дискретных элементов имеет ряд преимуществ, среди которых: меньшие габариты; простота монтажа; более высокая надежность, поскольку электрические соединения между диодами защищены корпусом модуля от ...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникипассивацияДиодыДиодный мост

Компоненты JIEJIE для приводов бесколлекторных электродвигателей

17 мая
Бесщеточный двигатель постоянного тока (BLDC) преодолевает неискоренимый недостаток коллекторного двигателя постоянного тока – трение щеток. Вместо них используется вращающееся магнитное поле, создаваемое обмотками статора, чьи фазы поочередно ком...
управление питаниемуправление двигателемJIEJIEновостьдискретные полупроводникиMOSFETBLDCSGT (Split Gate Trench)Trench MOSFET

Быстрые IGBT SUNCOYJ нового поколения для высокочастотного оборудования

16 мая
Ведущий китайский производитель дискретных силовых полупроводников компания SUNCOYJ выпустила линейку быстрых дискретных IGBT-транзисторов с напряжением «коллектор-эмиттер» до 650 В. Компоненты нового поколения выполнены по технологии Micro trench...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиIGBTTO-247trench