LBC857ALT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LBC857CLT1G Series S-LBC857CLT1G Series PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V ESD Rating – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with 3 RoHS requirements. • S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC557 (JSCJ)
 

BC557 (ONS-FAIR)
TO-92-3 2000 шт
 
A+ BC857S (JSCJ)
 

BC857S (ONS-FAIR)
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SB892 (JSCJ)
 
1 шт
 
A+ UMT1N (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
 
A+ UMT2N (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363
 
A+ BC327 (JSCJ)
 

BC327 (ONS-FAIR)
TO-92-3 2000 шт
 
A+ BC556 (JSCJ)
 

BC556 (ONS-FAIR)
TO-92-3 2000 шт
 
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
 
A+ BC856S (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
 
A+ BC857BV (JSCJ)
 
SOT-563
 
A+ EMT1 (JSCJ)
 
SOT-563 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SA1873 (JSCJ)
 
SOT353
 
A+ A1015 200-400 (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на LBC856ALT1G 

Дата модификации: 27.08.2012

Размер: 159.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.