2SB1440

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SB1440 SOT-89-3L TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES z Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) z For low-frequency output amplification z Complementary to 2SD2185 2. COLLECTOR 1 2 3. EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collec...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ LBTP560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LBTP660Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors 2SB1440 SOT-89-3L TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES z Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) z For low-frequency output amplification z Complementary to 2SD2185 2. COLLECTOR 1 2 3. EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -2 A PC Collector Power Dissipation 500 mW TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current Symbol Test conditions Min Typ Max Unit IC=-10μA, IE=0 -50 V = V(BR)CEO IC=-1mA, IB 0 -50 V -5 V V(BR)CBO V(BR)EBO IE=-10μA, IC=0 = VCB=-50V, IE 0 ICBO = VEB=-5V, IC 0 IEBO hFE1 VCE=-2V, = IC -200mA 120 hFE2 VCE=-2V, = IC -1A 60 -1 μA -1 μA 340 DC current gain Collector-emitter saturation voltage = IC=-1A, IB -50mA VCE(sat) -0.3 V Base- emitter saturation voltage = IC=-1A, IB -50mA VBE(sat) -1..2 V Transition frequency Collector output capacitance VCE=-10V, = IC 50mA, =f 200MHz fT Cob 80 VCB=-10V, IE=0, f=1MHz MHz 60 pF CLASSIFICATION OF hFE1 Rank Range R S 120-240 170-340 1L Marking www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SB1440 

Microsoft Word - 2SB1440_SOT-89_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 582.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)