BC857BV

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate Transistors BC857BV DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-563 FEATURES Epitaxial Die Construction z Complementary NPN Types Available z (BC847BV) z Ultra-Small Surface Mount Package Marking: K5V MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Co...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-563
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ A1015 200-400 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ LBSS5250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ L2SA812RLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA812SLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L9015RLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP
A+ L9015SLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate Transistors BC857BV DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-563 FEATURES Epitaxial Die Construction z Complementary NPN Types Available z (BC847BV) z Ultra-Small Surface Mount Package Marking: K5V MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.15 W RθJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 833 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55 ~ +150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions M in Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-10μA,IE=0 -50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0 -45 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-1μA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-30V,IE=0 DC current gain hFE VCE=-5V,IC=-2mA Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Transition frequency 220 nA 475 VCE(sat)(1) IC=-10mA,IB=-0.5mA -0.1 V VCE(sat)(2) IC=-100mA,IB=-5mA -0.4 V VBE(sat)(1) IC=-10mA,IB=-0.5mA -0.7 V VBE(sat)(2) IC=-100mA,IB=-5mA -0.9 V VBE(1) VCE=-5V,IC=-2mA VBE(2) VCE=-5V,IC=-10mA fT Collector output capacitance Cob Noise figure NF www.jscj-elec.com -15 VCE=-5V,IC=-10mA,f=100MHz VCB=-10V,IE=0,f=1MHz VCE=-5V,Ic=-0.2mA, f=1kHZ,Rs=2KΩ,BW=200Hz 1 -0.6 -0.75 V -0.82 V 100 MHz 4.5 pF 10 dB Rev. - 2.0 PDF
Документация на BC857BV 

Microsoft Word - BC857BV_SOT-563_.doc

Дата модификации: 30.06.2020

Размер: 1.37 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)