EMT1
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-563 Plastic-Encapsulate Transistors
EMT1
DUAL TRANSISTOR(PNP+PNP)
SOT-563
FEATURES
z Two 2SA1037AK chips in a package
z Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines
z Transistor elements are independent,eliminating interference
Marking: T1
Absolute maximum ratings (Ta=25℃)
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Ba...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: SOT-563
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-563 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 19
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | 2SB892 (JSCJ) | — | 1 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | UMT1N (JSCJ) | SOT-323-6 SOT363 | 3000 шт | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | UMT2N (JSCJ) | SOT-323-6 SOT363 | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | MMSTA92 (JSCJ) | — | — | — | — | |||||||||||
A+ | 2SA1873 (JSCJ) | SOT353 | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | A1015 200-400 (JSCJ) | TO-92-3 |
| — | — | — | — | |||||||||
A+ | 2SB1440 (JSCJ) | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | LBTP660Z4TZHG (LRC) | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | LBTP560Y3T1G (LRC) | SOT-89 | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | LH8550QLT1G (LRC) | SOT-23-3 | — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP | |||||||||
A+ | LMBTA55LT1G (LRC) | — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | ||||||||||
A+ | LMBTA56LT1G (LRC) | SOT-23-3 | в ленте 145 шт | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | |||||||||
A+ | L2SA1037AKQLT1G (LRC) | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | L2SA1576AQT1G (LRC) | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | L2SA1576ART1G (LRC) | — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP | ||||||||||
A+ | L2SA1774QT1G (LRC) | — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP | ||||||||||
A+ | L2SA1774RT1G (LRC) | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | LBSS5250Y3T1G (LRC) | SOT-89 | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | L2SA812RLT1G (LRC) | — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на EMT1
Microsoft Word - EMT1_SOT-563_.DOC
Дата модификации: 30.06.2020
Размер: 1.36 Мб
4 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.