2SA1873

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-353 Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1873 DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-353 Features z Small package (dual type) z High voltage and high current z High hFE z Excellent hFE linearity z Complementary to 2SC4944 MARKING: SY SGR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO Parameter Collector-Base Voltage alue -50 Un...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT353
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ A1015 200-400 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ LMBTA55LT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ LMBTA56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 145 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ L2SA812RLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA812SLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-353 Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1873 DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-353 Features z Small package (dual type) z High voltage and high current z High hFE z Excellent hFE linearity z Complementary to 2SC4944 MARKING: SY SGR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol VCBO VCEO Parameter Collector-Base Voltage alue -50 Units V Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage IC Collector Current -Continuous PC Collector Power Dissipation Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -5 V -150 mA 200 -55 ~+150 mW ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ M ax Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-100μA,IE=0 -50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0 -50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-10μA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-50V,IE=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=-5V,IC=0 -0.1 μA DC current gain hFE VCE=-6V,IC=-2mA Collector-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance VCE(sat) fT 120 400 IC=-100mA,IB=-10mA VCE=-10V,IC=-1mA -0.3 80 MHz VCB=-10V,IE=0,f=1MHz Cob V 7 pF CLASSIFICATION OF hFE Rank Range Marking www.jscj-elec.com Y GR 120-240 200-400 SY SGR 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на 2SA1873 

Microsoft Word - 2SA1873_SOT-353_.doc

Дата модификации: 29.06.2020

Размер: 1.09 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)