BC857S

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors BC857S DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) Isolated Transistor and Diode SOT-363 FEATURES Two transistors in one package z z Reduces number of components and board space No mutual interference between the transistors z MARKING: 3C MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC857BS (YJ)
 

BC857BS (DIODES) 		SOT-323-6 SOT363 в ленте 30000 шт
 
 — — — —
P= LBC857BDW1T1G (LRC)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ A1015 200-400 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ L2SA812RLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ LMBTA56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 145 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ LMBTA55LT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ 2SA1873 (JSCJ)
 
SOT353
 
 — — — — —
A+ BC856S (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
 
 — — — — —
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ L9015RLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA812SLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors BC857S DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) Isolated Transistor and Diode SOT-363 FEATURES Two transistors in one package z z Reduces number of components and board space No mutual interference between the transistors z MARKING: 3C MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector- Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -45 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.2 A PC Collector Power Dissipation 0.3 W RθJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 417 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta= 25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ M ax Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic=-10µA,IE=0 -50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic=-10mA,IB=0 -45 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-10µA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-30V,IE=0 DC current gain hFE VCE=-5V,IC=-2mA -15 125 nA 630 VCE(sat)(1) IC=-10mA,IB=-0.5mA -0.3 V VCE(sat)(2) IC=-100mA,IB=-5mA -0.65 V -0.75 V -0.82 V Collector-emitter saturation voltage VBE(1) VCE=-5V,IC=-2mA VBE(2) VCE=-5V,IC=-10mA -0.6 Base-emitter voltage Transition frequency fT Collector output capacitance Cob Noise figure NF www.jscj-elec.com VCE=-5V,IC=-10mA,f=100MHz 200 MHz VCB=-10V,IE=0,f=1MHz 3.5 pF 2.5 dB VCE=-5V,Ic=-0.2mA, f=1kHZ,Rs=2KΩ,BW=200Hz 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на BC857S 

Microsoft Word - BC857S _SOT-363_.doc

Дата модификации: 30.06.2020

Размер: 1.26 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)