UMT1N

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors UMT1N DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURES z Two 2SA1037AK chips in a package z Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. z Transistor elements are independent, eliminating interference. z Mounting cost and area be cut in half. Marking: T1 Absolute maximum ratings (Ta=25℃) Symbo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SB892 (JSCJ)
 
— 1 шт
 
 — — — —
A+ UMT2N (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363
 
 — — — — —
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ EMT1 (JSCJ)
 
SOT-563 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ 2SA1873 (JSCJ)
 
SOT353
 
 — — — — —
A+ A1015 200-400 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ LBSS5250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LBTP560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LBTP660Z4TZHG (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ LH8550QLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ LMBTA55LT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ LMBTA56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 145 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ L2SA1037AKQLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ L2SA1576AQT1G (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ L2SA1576ART1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA1774QT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA1774RT1G (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ L2SA812RLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors UMT1N DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP) SOT-363 FEATURES z Two 2SA1037AK chips in a package z Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. z Transistor elements are independent, eliminating interference. z Mounting cost and area be cut in half. Marking: T1 Absolute maximum ratings (Ta=25℃) Symbol Parameter Limits Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -150 mA PC Collector Dissipation 150 mW TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-50μA,IE=0 -60 V Collector-emitter breakdown Voltage V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0 -50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-50μA,IC=0 -6 V Collector cut-off current ICBO VCB=-60V,IE=0 -0.1 uA Emitter cut-off current IEBO VEB=-6V,IC=0 -0.1 uA DC current gain hFE VCE=-6V,IC=-1mA Collector-emitter saturation voltage Transition frequency Output capacitance www.jscj-elec.com VCE(sat) IC=-50mA,IB=-5mA fT VCE=-12V,IE=2mA, f=100MHz Cob VCB=-12V,IE=0, f=1MHz 1 290 560 -0.5 140 V MHz 5 pF Rev. - 2.0 PDF
Документация на UMT1N 

Microsoft Word - UMT1N_SOT-363_.doc

Дата модификации: 29.06.2020

Размер: 1.27 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)