UMT2N
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
UMT2N
DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP)
SOT-363
FEATURES
Two 2SA1037AK chips in SOT-363 package
MARKING: T2
Absolute maximum ratings (Ta=25℃)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage
-60
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-50
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-6
V
IC
Collector Current
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: SOT-323-6 SOT363
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-323-6 SOT363 | |
|---|---|---|
| Тип проводимости и конфигурация |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Коэффициент усиления по току |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 19
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | 2SB892 (JSCJ) | — | 1 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | UMT1N (JSCJ) | SOT-323-6 SOT363 | 3000 шт |  | — |  |  |  |  | — |  | — | — | — | ||
| A+ | MMSTA92 (JSCJ) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — |  | |||
| A+ | EMT1 (JSCJ) | SOT-563 | в ленте 3000 шт |  | — |  |  |  |  | — |  | — | — | — | ||
| A+ | 2SA1873 (JSCJ) | SOT353 |  | — |  |  |  |  | — |  | — | — | — | |||
| A+ | A1015 200-400 (JSCJ) | TO-92-3 |
|  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | 2SB1440 (JSCJ) | — |  | — |  |  |  |  | — |  | — | — |  | |||
| A+ | LBSS5250Y3T1G (LRC) | SOT-89 |  | — | — |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | LBTP560Y3T1G (LRC) | SOT-89 |  | — | — |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | LBTP660Z4TZHG (LRC) | — |  | — | — |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | LH8550QLT1G (LRC) | SOT-23-3 |  | — |  |  |  |  | — |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP | |||
| A+ | LMBTA55LT1G (LRC) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | |||
| A+ | LMBTA56LT1G (LRC) | SOT-23-3 | в ленте 145 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | ||
| A+ | L2SA1037AKQLT1G (LRC) | — |  | — | — |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | L2SA1576AQT1G (LRC) | — |  | — | — |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | L2SA1576ART1G (LRC) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP | |||
| A+ | L2SA1774QT1G (LRC) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP | |||
| A+ | L2SA1774RT1G (LRC) | — |  | — | — |  |  |  |  |  | — | — | — | |||
| A+ | L2SA812RLT1G (LRC) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на UMT2N
Microsoft Word - UMT2N SOT-363 A.doc
Дата модификации: 29.06.2020
Размер: 1.14 Мб
4 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.