BC856S
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
% &'
DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP)
6
5
(
Two transistors in one package
z
Reduces number of components and board space
z
z
No mutual interference between the transistors
1
2
3
4
)*
!" $/"#0" $"12
)+)) ,-.'
879$
?
%
?
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: SOT-323-6 SOT363
- Норма упаковки: 3000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-6 SOT363 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 7
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | BC856S (YJ) | SOT-323-6 SOT363 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | MMSTA92 (JSCJ) | — | — | — | — | |||||||||||
A+ | LBC856AWT1G (LRC) | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | LBTP560Y3T1G (LRC) | SOT-89 | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | LBTP660Z4TZHG (LRC) | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | LMBTA55LT1G (LRC) | — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | ||||||||||
A+ | LMBTA56LT1G (LRC) | SOT-23-3 | в ленте 145 шт | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на BC856S
Microsoft Word - BC856S_SOT-363_.DOC
Дата модификации: 30.06.2020
Размер: 1.15 Мб
4 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.