FQD13N10LTM
UMW
R
FQD13N10L
100V N-Channel MOSFET
Description
This advanced MOSFET technology has been especially
D
tailored to reduce on-state resistance, and to provide
superior switching performance and high avalanche
G
energy strength. These devices are suitable for switched
mode power supplies, audio amplifier, DC motor control,
S
and variable switching power applications.
Features
VDS (V) =...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Истор. имя: FQD13N10LTM (ONS-FAIR)
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 21
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMO15N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ10N10TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | JMTQ11DN10A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJU15SN10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJU15N10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | STD10NF10L (YOUTAI) | TO-252-3 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | IRLR3410TR (YOUTAI) IRLR3410TR (INFIN) | — | 1000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | 12N10 (YOUTAI) | — | 1 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | WMO15N12TS (WAYON) | TO252 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMO12N10TS (WAYON) | TO252 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMS119N10LG2 (WAYON) | SOP8L |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJS15G10A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 300 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | YJD15N10A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | NCE0110K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTK10N10A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJU10N10 (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | 15N10 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK16N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMS175N10LG2 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.