NCE0110K

NCE0110K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0110K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =100V,ID =9.6A RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=10V (Typ:108mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson Schematic diagram ● ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 30

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRFR110TRPBF (VBSEMI)
 
в ленте 2000 шт
 
P- IRFR120NTR (YOUTAI)
 

IRFR120NTR (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
P- IRLR120NTR (YOUTAI)
 

IRLR120NTR (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- YJD15N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
P- WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO13N10TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMTK10N10A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO175N10HG4 (WAYON)
 
 
P- CJU10N10 (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
A+ CJU15N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ WMO15N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJG18N10A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ NCE0115K (NCE)
 
TO252
 
±
A+ NCE0110AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCE0110AK (NCE)
 
TO252
 
±
A+ NCEP13N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ JMTQ11DN10A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMSL1040AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ CJU15SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ STD10NF10L (YOUTAI)
 
TO-252-3
A+ 12N10 (YOUTAI)
 
1 шт
A+ WMS119N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ WMQ10N10TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMK16N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ 15N10 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 300 шт
 
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ NCE0117 (NCE)
 
TO-220-3 1000 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCE0110K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0110K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =100V,ID =9.6A RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=10V (Typ:108mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson Schematic diagram ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply Marking and pin assignment 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-252-2L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE0110K NCE0110K TO-252-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 9.6 A ID (100℃) 6.5 A Pulsed Drain Current IDM 38.4 A Maximum Power Dissipation PD 30 W 0.2 W/℃ EAS 20 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 5 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v2.0 PDF
Документация на NCE0110K 

Microsoft Word - NCE0110K data sheet.doc

Дата модификации: 30.03.2020

Размер: 407.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.