WMO12N10TS
WMO12N10TS
100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMO12N10TS uses advanced power trench technology that has been
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain
D
superior switching performance.
S
G
TO-252
Features
VDS = 100V, ID = 12A
RDS(on) < 110mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 120mΩ @ VGS = 4.5V
Green Device Available
100% EAS Gua...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 19
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMO15N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | 15N10 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCE0115K (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP092N10AS (NCE) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP0120Q (NCE) | DFN83X3 | ± | — | — | — | |||||||||||
A+ | NCEP0116K (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | |||||||||||
A+ | NCEP0112AS (NCE) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL1040AK-13 (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJU15N10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMK16N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJU15SN10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | STD10NF10L (YOUTAI) | TO-252-3 |
| — | — | ||||||||||||
A+ | 12N10 (YOUTAI) | — | 1 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | WMS119N10LG2 (WAYON) | SOP8L | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJS15G10A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 300 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | YJD15N10A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | 1000 шт | ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO12N10TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 18.11.2022
Размер: 995.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.