WMS080N10LG2

WMS080N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D WMS080N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S technology that has been especially tailored to minimize the on-state S resistance and yet maintain superior switching performance. This S G SOP-8L device is well suited for high efficiency fast switching applications. Features  VDS= 100V, ID...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ LNB8610DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LN7706DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7609DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76082DT1WG (LRC)
 
 
±
A+ LN76076DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76072DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7604DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76042NDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ NCEP0114AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ LNB8614DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.