WMS119N10LG2

WAYON
WMS119N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D D Description D D WMS119N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. S G SOP-8L Features ⚫ VDS= 100V, ID ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 300 шт
 
 — —
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ NCEP0112AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ NCEP0114AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS119N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D D Description D D WMS119N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. S G SOP-8L Features ⚫ VDS= 100V, ID = 11.5A RDS(on) < 13mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 17.5mΩ @ VGS = 4.5V ⚫ High Speed Power Switching RoHS ⚫ Low Gate Charge compliant ⚫ Green Device Available ⚫ 100% EAS Guaranteed D G Applications ⚫ Power Management Switches ⚫ LED Backlighting ⚫ DC/DC Converter S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source voltage VDS 100 V Gate-Source voltage VGS ±20 V TA=25°C 11.5 Continuous Drain Current1 ID TA=100°C Pulsed Drain Current2 Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A 7.8 IDM 38 A EAS 61 mJ IAS 35 A PD 3.0 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 41.6 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 Rev.2.0, 2020 Doc:W0803294 1 / 6 PDF
Документация на WMS119N10LG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 07.01.2021

Размер: 506.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)