WMO15N10T1
WMO15N10T1
100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMO15N10T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
D
maintain superior switching performance.
G
TO-252
Features
VDS= 100V, ID = 14.6A
S
RDS(on) < 90mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 105mΩ @ VGS = 4.5V
Green Device Available
Low Gate Charge
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 14
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMO25N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | JMSL1040AK-13 (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJU15SN10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJU15N10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | STD10NF10L (YOUTAI) | TO-252-3 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJS15G10A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 300 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | YJD25N10A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | YJD15N10A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | 15N10 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK25N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK16N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO15N10T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 19.03.2022
Размер: 598.8 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.