Вход / Регистрация

WMS175N10LG2

WAYON
WMS175N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D nd WMS175N10LG2 uses Wayon's 2 generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S resistance and yet maintain superior switching performance. This S S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G SOP-8L Features ⚫ VDS = 100V, ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMS175N10LG4 (WAYON)
 
— 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7473TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 78 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
P- CRSE120N10L2 (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- NCE0108AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P- NCE0110AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P- IRF7853TRPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS11G10A (YJ)
 
SOP-8 в ленте 8000 шт
 
 — — — — —
P- IRF7495 (EVVO)
 

IRF7495 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 300 шт
 
 — —
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ WMS119N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ NCEP0114AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ NCEP13N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ LN76076DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN7617DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS175N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D D nd WMS175N10LG2 uses Wayon's 2 generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state S resistance and yet maintain superior switching performance. This S S device is well suited for high efficiency fast switching applications. G SOP-8L Features ⚫ VDS = 100V, ID = 10A(Silicon Limited) RDS(on) < 18.5mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 26mΩ @ VGS = 4.5V ⚫ Green Device Available ⚫ 100% EAS Guaranteed ⚫ Low Gate Charge ⚫ High Speed Switching RoHS D compliant G Applications S ⚫ DC/DC Converter ⚫ Synchronous Rectifier Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V 10 TA=25℃ Continuous Drain Current1(Silicon Limited) ID Pulsed Drain Current2 Single Pulse Avalanche Energy3 IDM 32 A EAS 51.2 mJ IAS 16 A PD 3.1 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 40.3 °C/W Avalanche Current Total Power Dissipation4 TA=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range A 6.5 TA=100℃ Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Rev.1.0, 2019 Junction-to-Ambient1 Doc:W0803410 1 / 6 PDF
Документация на WMS175N10LG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 23.11.2020

Размер: 546.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)