Вход / Регистрация

1N4007R0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= HER108GR0 (TSC)
 
— — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= FR107G A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= FR107G (LRC)
 
DO41
 
 — — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= 1N4007G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= FR107GR0 (TSC)
 
— — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007 (TSC)
 

UF4007 (ONS-FAIR) 		DO204AL 5000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= BA159GR0 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N4007G (DC)
 
DO41
 
 — — — — — — — — — — —
P= 1N4007G (LRC)
 
DO41
 
 — — — — — —
P= 1N4007 (DC)
 

1N4007 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 1000 шт — —
P= BA159 (DC)
 
DO41 в коробках 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41] —
P= 1N4007 (YJ)
 

1N4007 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= UF4007 (DC)
 

UF4007 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 2500 шт —
P= HER108G (YJ)
 
DO41
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= UF4007G (LRC)
 
DO41
 
 — — — — — — — — — — —
P= HER108 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007R0 (TSC)
 
— — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N4007G (ANBON)
 
DO41
 
 — — — — — —
P- FR107 (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- RGP10M (LRC)
 

RGP10M (ONS-FAIR) 		DO41
 
 — — — — —
P- HER108G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт
 
 — —
P- 1N4007 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107 (TSC)
 
DO41 4000 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- HER108G (LRC)
 
DO41 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41

Файлы 1

показать свернуть
1N4001 thru 1N4007 Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Silicon Rectifiers - High efficiency, Low VF - High current capability - High reliability - Low power loss - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-204AL (DO-41) DO-204AL (DO-41) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test Weight: 0.33g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N 4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007 UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Rating for fusing (t<8.3ms) I2t 3.7 A2s Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A VF 1.0 V Maximum reverse current @ Rated VR TJ=25 ℃ TJ=125℃ IR Typical junction capacitance (Note 2) Cj 10 RθjC 6 RθjL 15 RθjA 65 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C Typical Thermal Resistance Operating junction temperature range Storage temperature range TSTG 5 μA 50 pF O C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405004 Version: H14 PDF
Документация на 1N4007R0 

1N4001 SERIES_H14.xls

Дата модификации: 08.05.2014

Размер: 195.9 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)