Вход / Регистрация

BA159GR0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.2 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= UF4007 (DC)
 

UF4007 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 2500 шт —
P= HER108G (YJ)
 
DO41
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= UF4007G (LRC)
 
DO41
 
 — — — — — — — — — — —
P= UF4007R0 (TSC)
 
— — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= BA159 (DC)
 
DO41 в коробках 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41] —
P= UF4007 A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N4007G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= HER108 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= 1N4007G (LRC)
 
DO41
 
 — — — — — —
P= 1N4007G (ANBON)
 
DO41
 
 — — — — — —
P= 1N4007 (DC)
 

1N4007 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 1000 шт — —
P= 1N4007 (YJ)
 

1N4007 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= 1N4007G (DC)
 
DO41
 
 — — — — — — — — — — —
P- RGP10M (LRC)
 

RGP10M (ONS-FAIR) 		DO41
 
 — — — — —
P- FR107 (TSC)
 
DO41 4000 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107G A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107GR0 (TSC)
 
— — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- UF4007 (TSC)
 

UF4007 (ONS-FAIR) 		DO204AL 5000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P- FR107G (LRC)
 
DO41
 
 — — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P- FR107 (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- HER108GR0 (TSC)
 
— — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- 1N4007 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- HER108G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт
 
 — —
P- HER108G (LRC)
 
DO41 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41

Файлы 1

показать свернуть
BA157G thru BA159G Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers - Glass passivated chip junction - High current capability, Low VF - High reliability - High surge current capability - Low power loss, high efficiency - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-204AL (DO-41) DO-204AL (DO-41) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Weight: 0.33 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL BA157G BA158G BA159G UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 400 600 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 280 420 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 400 600 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A VF 1.2 V Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ Maximum reverse recovery time (Note 2) Trr Typical junction capacitance (Note 3) Cj Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range 5 IR μA 100 150 250 ns 15 pF O RθJA 60 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C TSTG C/W Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405009 Version: G14 PDF
Документация на BA159GR0 

BA157G SERIES_G14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 371.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)