1N4007GP

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4007 (DC)
 

1N4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 1000 шт
P= 1N4007 (YJ)
 

1N4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= 1N4007 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= 1N4007G (LRC)
 
DO41
 
P= BA159GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= FR107GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= FR107G A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= HER108GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= BA159 (DC)
 
DO41 в коробках 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]
P= FR107G (LRC)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= 1N4007G (ANBON)
 
DO41
 
P= 1N4007G (DC)
 
DO41
 
P= 1N4007G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= UF4007 (TSC)
 

UF4007 (ONS-FAIR)
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= FR107 (TSC)
 
DO41 4000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= FR107G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007R0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= HER108 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007 (DC)
 

UF4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт
P= HER108G (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= UF4007G (LRC)
 
DO41
 

Файлы 1

показать свернуть
1N4001GP THRU 1N4007GP 1.0 AMP. Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers Voltage Range 50 to 1000 Volts Current 1.0 Ampere DO-41 Features a a a a a a a High temperature metallurgically bonded construction Plastic material used carries Underwriters Laboratory Classification 94V-O Glass passivated cavity-free junction Capable of meeting environmental standards of MIL-S-19500 1.0 ampere operation at TA=75oC and 55oC with no thermal runaway Typical IR less than 0.1 uA High temperature soldering guaranteed: 350oC / 10 seconds, 0.375”(9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension Mechanical Data a a a a Case: JEDEC DO-41 molded plastic over glass body Lead: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting position: Any aWeight: 0.012 ounce, 0.3 gram Dimensions in inches and (millimeters) Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20% 1N 1N 1N Type Number 1N 1N 1N 1N 4001GP 4002GP 4003GP 4004GP 4005GP 4006GP 4007GP Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current .375”(9.5mm) Lead Length @TA = 75 Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method ) Maximum Instantaneous Forward Voltage @1.0A Maximum DC Reverse Current @ TA=25 at Rated DC Blocking Voltage @ TA=125 Maximum Full Load Reverse Current , Full Cycle Average .375”(9.5mm) Lead Length @TA=75 Typical Junction Capacitance ( Note 1 ) Typical Thermal Resistance RJA ( Note 2 ) Operating and Storage Temperature Range TJ ,TSTG 50 35 50 100 70 100 200 140 200 400 280 400 600 420 600 1000 700 1000 V V V 1.0 A 30 A 1.1 V 5.0 50 uA uA 30 uA 8.0 55 -65 to +175 pF /W  Notes: 1. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4..0 Volts D.C. 2. Thermal Resistance from Junction to Ambient .375” (9.5mm) Lead Length. . 800 560 800 Units PDF
Документация на 1N4007GP 

Дата модификации: 09.09.2002

Размер: 52.5 Кб

2 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.