Вход / Регистрация

HER108GR0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= UF4007 (DC)
 

UF4007 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 2500 шт —
P= HER108G (YJ)
 
DO41
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= UF4007G (LRC)
 
DO41
 
 — — — — — — — — — — —
P= BA159 (DC)
 
DO41 в коробках 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41] —
P= UF4007 A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= UF4007R0 (TSC)
 
— — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= HER108 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007 (TSC)
 

UF4007 (ONS-FAIR) 		DO204AL 5000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= FR107G (LRC)
 
DO41
 
 — — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= 1N4007G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N4007 (YJ)
 

1N4007 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= 1N4007G (LRC)
 
DO41
 
 — — — — — —
P= 1N4007G (ANBON)
 
DO41
 
 — — — — — —
P= 1N4007 (DC)
 

1N4007 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 1000 шт — —
P= 1N4007G (DC)
 
DO41
 
 — — — — — — — — — — —
P- RGP10M (LRC)
 

RGP10M (ONS-FAIR) 		DO41
 
 — — — — —
P- FR107GR0 (TSC)
 
— — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107 (TSC)
 
DO41 4000 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107G A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107 (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- HER108G (LRC)
 
DO41 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- 1N4007 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- HER108G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт
 
 — —
P- BA159GR0 (TSC)
 
— — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
HER101G thru HER108G Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Glass Passivated High Efficient Rectifiers - Glass passivated chip junction - High current capability, Low VF - High reliability - High surge current capability - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-204AL (DO-41) DO-204AL (DO-41) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Weight: 0.33 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25oC unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL HER HER HER HER HER HER HER HER 101G 102G 103G 104G 105G 106G 107G 108G UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 300 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 210 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 300 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 oC o TJ=125 C Maximum reverse recovery time (Note 2) Typical junction capacitance (Note 3) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range VF 1.0 1.3 V 1.7 5 IR μA 150 Trr 50 75 ns Cj 15 10 pF RθJC RθJA 15 60 TJ - 55 to +150 O C TSTG - 55 to +150 O C O C/W Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1407033 Version: I14 PDF
Документация на HER102GR0G 

HER101G SERIES_I14.xls

Дата модификации: 31.07.2014

Размер: 356.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)