FR107GR0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4007G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N4007G (DC)
 
DO41
 
P= BA159 (DC)
 
DO41 в коробках 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]
P= UF4007 (DC)
 

UF4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт
P= FR107G A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= FR107G (LRC)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= 1N4007G (LRC)
 
DO41
 
P= 1N4007 (DC)
 

1N4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 1000 шт
P= HER108G (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N4007 (YJ)
 

1N4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= HER108 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007G (LRC)
 
DO41
 
P= UF4007 A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= UF4007R0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N4007G (ANBON)
 
DO41
 
P- RGP10M (LRC)
 

RGP10M (ONS-FAIR)
DO41
 
P- FR107 (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- 1N4007 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- BA159GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P- HER108G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт
 
P- HER108G (LRC)
 
DO41 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- HER108GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107 (TSC)
 
DO41 4000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR107G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- UF4007 (TSC)
 

UF4007 (ONS-FAIR)
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
FR101G - FR107G CREAT BY ART 1.0AMP Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers DO-41 Features Glass passivated chip junction High efficiency, Low VF High current capability High reliability High surge current capability Low power loss Green compound with suffix "G" on packing code & prefix "G" on datecode Mechanical Data Cases: Molded plastic Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant Lead: Pure tin plated, lead free, solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed Polarity: Color band denotes cathode end High temperature soldering guaranteed: 260℃/10s Weight: 0.34 grams Ordering Information (example) Part No. Package Packing INNER TAPE Packing code Packing code (Green) FR101G DO-41 3K / AMMO box 52mm A0 A0G Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified. Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM FR 101G 50 Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum Average Forward Rectified Current IF(AV) 1 A Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) IFSM 30 A VF 1.3 V 5 uA 100 uA Parameter Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @1A Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage @ TA=25 ℃ @ TA=125 ℃ Symbol Trr Typical Junction Capacitance (Note 3) Cj Operating Temperature Range Storage Temperature Range FR 103G 200 FR 104G 400 FR 105G 600 FR 106G 800 FR 107G 1000 IR Maximum Reverse Recovery Time (Note 2) Typical Thermal Resistance FR 102G 100 150 250 Units V 500 nS 10 pF O RθJA 70 TJ - 55 to + 150 O C - 55 to + 150 O C TSTG C/W Note 1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Version:E13 PDF
Документация на FR101GR0G 

FR101G SERIES_E13.xls

Дата модификации: 16.07.2013

Размер: 418.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.