UF4007R0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4007 (YJ)
 

1N4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= 1N4007 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= 1N4007 (DC)
 

1N4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 1000 шт
P= UF4007 A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= FR107G A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= HER108GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= FR107GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007 (TSC)
 

UF4007 (ONS-FAIR)
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N4007G (ANBON)
 
DO41
 
P= 1N4007G (LRC)
 
DO41
 
P= 1N4007G (DC)
 
DO41
 
P= 1N4007G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= FR107G (LRC)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= BA159GR0 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= BA159 (DC)
 
DO41 в коробках 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]
P= FR107 (TSC)
 
DO41 4000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P= UF4007 (DC)
 

UF4007 (ONS-FAIR)
DO41 в ленте 2500 шт
P= UF4007G (LRC)
 
DO41
 
P= FR107G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- HER108 (YJ)
 
DO41 1 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P- HER108 (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
P- HER108G (YJ)
 
DO41
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL

Файлы 1

показать свернуть
UF4001 thru UF4007 Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Glass Passivated High Efficient Rectifiers - Glass passivated chip junction - Excellent high temperature switching - High efficiency, low VF - Ultrafast recovery time for high efficiency - Low leakage current - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA DO-204AL (DO-41) Case: DO-204AL (DO-41) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test, with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Weight: 0.33g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL UF UF UF UF UF UF UF 4001 4002 4003 4004 4005 4006 4007 UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ VF 100 200 400 1.0 600 800 1000 V 1.7 V 5 IR μA 150 Maximum reverse recovery time (Note 2) Trr Typical junction capacitance (Note 3) Cj 17 RθJL RθJA 15 60 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range TSTG 50 75 ns pF O C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405011 Version: J14 PDF
Документация на UF4003R0 

UF4001 SERIES_J14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 372.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.