WMS08P03T1

WAYON
WMS08P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS08P03T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D yet maintain superior switching performance. S Features  S S VDS= -30V, ID = -8A G SOP-8L RDS(on) < 20mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 30mΩ @ VGS = -4.5V  Low Gate Charge  100% EAS ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJS9435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= CRTE350P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8 4000 шт
 
 — — —
P= WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P= NCE3007S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P= WMS09DP03TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP4953A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- YJS4435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 8000 шт
 
 — — — — —
P- NCE30P12S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- IRF7416TR (YOUTAI)
 

IRF7416TR (INFIN) 		— в ленте 20 шт
 
 — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS08P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS08P03T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D yet maintain superior switching performance. S Features  S S VDS= -30V, ID = -8A G SOP-8L RDS(on) < 20mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 30mΩ @ VGS = -4.5V  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed RoHS D compliant Applications  Power Management Switches  DC/DC Converter G S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TA=25°C -8 ID Continuous Drain Current TA=100°C Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A -5 IDM -40 A EAS 26.5 mJ PD 2.7 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 46.3 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.1.0, 2022 Doc:W0803666 1/7 PDF
Документация на WMS08P03T1 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 17.05.2022

Размер: 764.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)