IRF7416TR

UMW
UMW l l l l l R IRF7416 P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES Low On-Resistance P-Channel Mosfet Surface Mount dv/dt Rating Fast Switching A D 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D S Top View Absolute Maximum Ratings Parameter Max. ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -10 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -7.1 IDM Pulsed Drain Current PD @TA...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRF7416TR (INFIN)
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 20  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF7416TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- TSM180P03CS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
 — — —
P- JMTP4953A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- YJS4435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 8000 шт
 
 — — — — —
P- NCE30P12S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW l l l l l R IRF7416 P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES Low On-Resistance P-Channel Mosfet Surface Mount dv/dt Rating Fast Switching A D 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D S Top View Absolute Maximum Ratings Parameter Max. ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -10 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -7.1 IDM Pulsed Drain Current PD @TA = 25°C VGS Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage EAS Single Pulse Avalanche Energy c Units A -45 e dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range d W 2.5 0.02 ± 20 W/°C V 370 mJ -5.0 V/ns -55 to + 150 °C Max. Units 50 °C/W Thermal Resistance Parameter Junction-to-Ambient g RθJA Static Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance VGS(th) gfs IDSS Gate Threshold Voltage Forward Transconductance Drain-to-Source Leakage Current IGSS Gate-to-Source Forward Leakage Gate-to-Source Reverse Leakage www.umw-ic.com ––– ––– -1.0 5.6 ––– ––– ––– ––– 1 Conditions V VGS = 0V, ID = -250μA V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA VGS = -10V, ID = -5.6A ––– 20 mΩ ––– 35 VGS = -4.5V, ID = -2.8A ––– -2.04 V VDS = VGS, ID = -250μA ––– ––– S VDS = -10V, ID = -2.8A VDS = -24V, VGS = 0V ––– -1.0 μA VDS = -24V, VGS = 0V, TJ = 125°C ––– -25 VGS = -20V ––– -100 nA VGS = 20V ––– 100 -30 ––– ––– ––– -0.024 ––– f f UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на IRF7416TR 

UMW IRF7416TR

Дата модификации: 26.10.2022

Размер: 430.4 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)