YJS9435B

SUNCO
RoHS YJS9435B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30 V -5.5 A ＜41 mΩ ＜59 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P= CRTE350P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8 4000 шт
 
 — — —
P= WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= NCE3007S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P= WMS09DP03TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7205 (EVVO)
 

IRF7205 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTP4953A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- IRF7316TR (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE4953 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ4953 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS9435B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) -30 V -5.5 A ＜41 mΩ ＜59 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS -30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V -5.5 TA=25℃ Drain Current ID A -3.5 TA=100℃ Pulsed Drain Current A IDM -30 A 2.5 TA=25℃ Total Power Dissipation B PD W 1 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 40 50 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS9435B F2 Q9435B 4000 8000 64000 7“ reel 1/7 S-E328 Rev1.0,26-Apr-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS9435B 

Дата модификации: 26.04.2023

Размер: 563.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)