NCE3007S

NCE3007S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3007S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in load switch and battery protection applications. General Features Schematic diagram ● VDS =-30V,ID =-6.5A RDS(ON) < 42mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) < 72mΩ @ VGS=-4.5V ● High densit...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P= WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
P= YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P= CRTE350P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8 4000 шт
 
P= WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P= YJS9435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P= WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P= WMS09DP03TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE3007S 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 09.05.2023

Размер: 697.3 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.