NCE30P12S

NCE
NCE30P12S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P12S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram ● VDS = -30V,ID = -12A RDS(ON) < 21mΩ @ VGS=-4.5V ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF7424TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7424TRPBF (INFIN) 		— в ленте 2800 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTP4953A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WMS12P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- TSM085P03CS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
 — — —
P- AO4423 (YOUTAI)
 
—
 
 — —
P- IRF7424TR (YOUTAI)
 

IRF7424TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTP4407A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- BLM10P03-E (CN BELL)
 
— 20 шт
 
 P-Channel Power MOSFET, SOP8, -30 V, -15 A, 0,008 Ohm High density cell design for lower Rdson, Excellent package for good heat dissipation, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Battery Protection
P- YJS4435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 8000 шт
 
 — — — — —
P- YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- FDS6679AZ (YOUTAI)
 

FDS6679AZ (ONS-FAIR) 		—
 
 — —
P- IRF7416TR (YOUTAI)
 

IRF7416TR (INFIN) 		— в ленте 20 шт
 
 — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE30P12S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P12S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram ● VDS = -30V,ID = -12A RDS(ON) < 21mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) < 13mΩ @ VGS=-10V ● High Power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package Marking and pin assignment Application ● PWM applications ● Load switch ● Power management SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE30P12S NCE30P12S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous (TC=25℃) ID Drain Current-Continuous (TC=100℃) IDM Drain Current-Pulsed (Note 1) Maximum Power Dissipation (TC=25℃) PD Maximum Power Dissipation (TC=100℃) Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range -12 -8.4 -48 3 1.3 A A W EAS 231 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 41.67 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V5.0 PDF
Документация на NCE30P12S 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 31.08.2022

Размер: 684.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)