NCE30P12S
NCE30P12S
http://www.ncepower.com
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE30P12S uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS = -30V,ID = -12A
RDS(ON) < 21mΩ @ VGS=-4.5V
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SO-8 SOIC8 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 15
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | IRF7424TRPBF (VBSEMI) IRF7424TRPBF (INFIN) | — | в ленте 2800 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | JMTP4953A (JIEJIE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | WMS08P03T1 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | WMS12P03T1 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | WM03DP50A (WAYON) | SOP8L | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | AO4423 (YOUTAI) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| P- | IRF7424TR (YOUTAI) IRF7424TR (INFIN) | SO-8 SOIC8 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | JMTP4407A (JIEJIE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | CJQ4407S (JSCJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 1000 шт |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |
| P- | BLM10P03-E (CN BELL) | — | 20 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | P-Channel Power MOSFET, SOP8, -30 V, -15 A, 0,008 Ohm |  | High density cell design for lower Rdson, Excellent package for good heat dissipation, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Battery Protection | ||
| P- | YJS4435B (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 8000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | YJS4407C (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| P- | FDS6679AZ (YOUTAI) FDS6679AZ (ONS-FAIR) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| P- | IRF7416TR (YOUTAI) IRF7416TR (INFIN) | — | 20 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | CR4437 (CRMICRO) | SOP-8 | в коробках 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE30P12S
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 31.08.2022
Размер: 684.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.