WMS09DP03T1

WAYON
WMS09DP03T1 30V Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 Description D1 D2 WMS09DP03T1 uses advanced power trench technology that has D2 been especially tailored to minimize the on-state resistance and S1 yet maintain superior switching performance. G1 S2 G2 Features ⚫ SOP-8L VDS= -30V, ID = -9A RDS(on) < 17mΩ @ VGS = -10 V RDS(on) < 25mΩ @ VGS = -4.5V ⚫ High Power and...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Корпус: SOP8L
  • Норма упаковки: 4000  шт. (в ленте)
  • снято с производства

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMS09DP03TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= NCE3007S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P= WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P= CRTE350P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8 4000 шт
 
 — — —
P= YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP4953A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- IRF7316TR (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS9435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- NCE4953 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ4953 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS09DP03T1 30V Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 Description D1 D2 WMS09DP03T1 uses advanced power trench technology that has D2 been especially tailored to minimize the on-state resistance and S1 yet maintain superior switching performance. G1 S2 G2 Features ⚫ SOP-8L VDS= -30V, ID = -9A RDS(on) < 17mΩ @ VGS = -10 V RDS(on) < 25mΩ @ VGS = -4.5V ⚫ High Power and Current Handing Capability ⚫ Low Gate Charge RoHS D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 compliant Applications ⚫ ⚫ Power Management Switches Battery Protection Applications Absolute Maximum Ratings Parameter 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V -9 TA=25℃ Continuous Drain Current@-10V1 ID Pulsed Drain Current2 Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TA=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range A -6.5 TA=70℃ IDM -35 A EAS 80 mJ IAS -40 A PD 2.7 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 45 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 Rev.2.0, 2020 Doc:W0803298 1 / 6 PDF
Документация на WMS09DP03T1 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 25.10.2022

Размер: 526.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)