WM03DP50A

WAYON
WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features    Way-on Small Signal MOSFETs VDS= -30V, ID = -5A RDS(on) < 60mΩ @ VGS = -10.0V RDS(on) < 90mΩ @ VGS = -4.5V Trench Power LV MOSFET Technology SOP-8L Mechanical Characteristics    SOP-8L Package Marking : Making Code RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D1 D1 D2 D2 D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 1 2 3 4 S1...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= NCE3007S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P= WMS09DP03TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P= WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= CRTE350P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8 4000 шт
 
 — — —
P= YJS9435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- YJS4435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 8000 шт
 
 — — — — —
P- NCE4953 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- NCE30P12S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- IRF7416TR (YOUTAI)
 

IRF7416TR (INFIN) 		— в ленте 20 шт
 
 — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- CJQ4953 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- JMTP4953A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WM03DP50A Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features    Way-on Small Signal MOSFETs VDS= -30V, ID = -5A RDS(on) < 60mΩ @ VGS = -10.0V RDS(on) < 90mΩ @ VGS = -4.5V Trench Power LV MOSFET Technology SOP-8L Mechanical Characteristics    SOP-8L Package Marking : Making Code RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D1 D1 D2 D2 D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 8 7 6 5 Device symbol SOP-8L(Top View) Absolute Maximum Rating (TA=25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Breakdown Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID -5 A Pulsed Drain Current1 IDM -20 A Power Dissipation PD 1.25 W TJ ,TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 100 °C/W Continuous Drain Current TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction to Ambient2 Rev.E,2021 Doc:W0803063 1/5 PDF
Документация на WM03DP50A 

Features Keywords:

Дата модификации: 21.04.2022

Размер: 682.4 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)