WMR09N02T1

WMR09N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMR09N02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFN2020-6L Features ⚫ VDS =20V, ID = 9A RDS(on) < 22mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) < 28mΩ @ VGS = 2.5V ⚫ Green Device Available ⚫ High Power and Current Han...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X2
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 в ленте 3000 шт
 
A+ AO4404 (YOUTAI)
 
SOP-8
 
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN085C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ YJQ10N02A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
A+ YJH10N02A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт
A+ YJS10N02A (YJ)
 
SO-8 SOIC8
 
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ CJMN2012 (JSCJ)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.