WMR15N02T1
WMR15N02T1
20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Features
⚫
⚫
⚫
⚫
⚫
DFN2020-6L
VDS =20V, ID = 15A
RDS(on) < 6mΩ @ VGS = 4.5V
RDS(on) < 8.8mΩ @ VGS = 2.5V
Green Device Available
Super Low Gate Charge
1...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFN62X2
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | DFN62X2 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMQ30N02T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WM02DN560Q (WAYON) | DFN83X3 |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | NCE2025S (NCE) | SO-8 SOIC8 |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMR15N02T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 05.07.2022
Размер: 545.9 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.