WMR15N02T1

WMR15N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ DFN2020-6L VDS =20V, ID = 15A RDS(on) < 6mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) < 8.8mΩ @ VGS = 2.5V Green Device Available Super Low Gate Charge 1...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X2
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMQ30N02T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
A+ NCE2025S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ LP7203DT1WG (LRC)
 
 
±
A+ LNB8206DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.