WMR15N02T1
WMR15N02T1
20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMR15N02T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Features
⚫
⚫
⚫
⚫
⚫
DFN2020-6L
VDS =20V, ID = 15A
RDS(on) < 6mΩ @ VGS = 4.5V
RDS(on) < 8.8mΩ @ VGS = 2.5V
Green Device Available
Super Low Gate Charge
1...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFN62X2
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DFN62X2 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMQ30N02T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WM02DN560Q (WAYON) | DFN83X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | NCE2025S (NCE) | SO-8 SOIC8 | ± | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | LP7203DT1WG (LRC) | — | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LNB8206DT0AG (LRC) | DFN33338A | ± | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMR15N02T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 05.07.2022
Размер: 545.9 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.