YJH10N02A

SUNCO
RoHS YJH10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) 20 V 10 A ＜11 mohm ＜15 mohm ＜20 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJQ10N02A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
 —
A+ LP7203DT1WG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —
A+ LN2324DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
 ± — — — — — —
A+ JMTV100N02A (JIEJIE)
 
DFN62X2 3000 шт
 
 — — — —
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ LN8210DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJH10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) 20 V 10 A ＜11 mohm ＜15 mohm ＜20 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 10 TA=25℃ Drain Current A ID 8 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 43 A 1.5 W 4.0 W PD TC=25℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 83 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 31 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE F1 2010 1000 10000 40000 7“ reel F2 2010 1000 8000 32000 7“ reel YJH10N02A 1/7 S-E601 Rev.3.1,3-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJH10N02A 

Microsoft Word - YJH10N02A

Дата модификации: 04.11.2022

Размер: 519.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)