CJMN2012

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJMN2012 N-Channel MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS DFNWB2×2-6L-J 10mΩ@ 4.5V 13 mΩ@ 2.5V 20V 12A 1 8 mΩ@1.8V FEATURES APPLICATION  TrenchFET Power MOSFET  Load Switch for Portable Applications  Small package DFNWB2×2-6L Equivalent Circuit MARKING: N2012 XX N2012 = Part No. Solid dot = ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ YJQ10N02A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
A+ AO4404 (YOUTAI)
 
SOP-8
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.