CJMN2012
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
DFNWB2×2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJMN2012
N-Channel MOSFET
ID
RDS(on)TYP
V(BR)DSS
DFNWB2×2-6L-J
10mΩ@ 4.5V
13 mΩ@ 2.5V
20V
12A
1 8 mΩ@1.8V
FEATURES
APPLICATION
TrenchFET Power MOSFET
Load Switch for Portable Applications
Small package DFNWB2×2-6L
Equivalent Circuit
MARKING:
N2012
XX
N2012 = Part No.
Solid dot = ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJQ2012A (YJ) | DFN2020MD6 | в ленте 3000 шт | — | |||||||||||||
A+ | WMR15N02T1 (WAYON) | DFN62X2 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJQ10N02A (YJ) | DFN2020MD6 | 3000 шт | — | |||||||||||||
A+ | WM02DN110C (WAYON) | DFN62X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02DN560Q (WAYON) | DFN83X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | AO4404 (YOUTAI) | SOP-8 | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.