WM02DN110C

WAYON
Document: W0803165, Rev: F WM02DN110C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V(BR)DSS(V) WM02DN110C uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance This device is suitable for un-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration ID(A) 6.0 @VGS=4.5V 6.2 @VGS=4.0V 20 11 6.5 @VGS=3.7...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
 — — — — — — —
A+ LP7203DT1WG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Document: W0803165, Rev: F WM02DN110C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V(BR)DSS(V) WM02DN110C uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance This device is suitable for un-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration ID(A) 6.0 @VGS=4.5V 6.2 @VGS=4.0V 20 11 6.5 @VGS=3.7V 7.0 @VGS=3.1V 8.2 @VGS=2.5V Features Applications ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ Super high dense cell for low RDS(ON) RoHS Compliant and Halogen-Free ESD protected: Class 2 RDS(on)TYP (mΩ) Battery protection Load switch Schematic & PIN Configuration Absolute Maximum Rating Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V 11 A 8.8 A IDM 70 A EAS 39 mJ IAS 28 A PD 1.56 W TJ, TSTG -55 to 150 °C RθJA 80 °C/W TA=25℃ Continuous Drain Current ID TA=70℃ Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy5 Avalanche Current Total Power Dissipation TA=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range Maximum Junction-to-Ambient2 ©2020 WAYON Corporation www.way-on.com 1 / 4 PDF
Документация на WM02DN110C 

Features

Дата модификации: 30.12.2022

Размер: 334.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)