AO4404

UMW
UMW R AO4404 N-Channel 20V (D-S) MOSFET Description D The AO4404 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This G device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S General Features N-Channel MOSFET VDS = 30V ID =8.5 A RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=10V Application Batte...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ LN8210DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —
A+ LP7203DT1WG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —
A+ LN2324DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
 ± — — — — — —
A+ CJMN2012 (JSCJ)
 
—
 
 —
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ YJQ10N02A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
 —
A+ LNB2110LT1G (LRC)
 
SOT23LC
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R AO4404 N-Channel 20V (D-S) MOSFET Description D The AO4404 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This G device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S General Features N-Channel MOSFET VDS = 30V ID =8.5 A RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=10V Application Battery protection Load switch Uninterruptible power supply Absolute Maximum Ratings TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Symbol VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C ID IDM Pulsed Drain Current TC = 25 °C TA = 25 °C IS Single Pulse Avalanche Current Avalanche Energy L = 0.1 mH IAS EAS Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C PD Continuous Source-Drain Diode Current Limit 20 ± 16 12 11 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range Unit V 10b, c 8b, c 47 3.7 A 2.0b, c 20 21 4.1 2.5 mJ 2.2b, c 1.3b, c - 55 to 150 W °C Thermal resist ance rating Parameter Maximum Junction-to-Ambientb, d Maximum Junction-to-Foot (Drain) t ≤ 10 s Steady State Symbol RthJA RthJF Typical 39 25 Maximum 55 29 Unit °C/W Notes: a. Base on TC = 25 °C. b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 10 s. d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W. www.umw-ic.com 1 UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на AO4404 

UMW AO4404

Дата модификации: 29.07.2022

Размер: 460.5 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)