WM02DN095C
Document: W0803218, Rev: D
WM02DN095C
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Description
V(BR)DSS(V)
WM02DN095C uses advanced power trench
technology that has been especially tailored to
minimize the on-state resistance This device is
suitable for un-directional or bidirectional load
switch, facilitated by its common-drain configuration
7.4 @VGS=4.5V
7.8 @VGS=4.0V
20
9.5
8.0 @VGS=3.7V
8.8 ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFN62X3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DFN62X3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WM02DN110C (WAYON) | DFN62X3 | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.