Вход / Регистрация

YJS11G10A

SUNCO
RoHS YJS11G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested 100V 11A ＜13.5mΩ ＜17mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Fl...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ05N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — ± — — — — —
P- CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
P- IRF7473TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 78 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRMM4892D (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- IRF7853TRPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7495 (EVVO)
 

IRF7495 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7854TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 200 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMS099N10LGS (WAYON)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — —
P- CRSE120N10L2 (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- NCEP13N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
P- NCE0110AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P- NCE0108AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ NCEP0114AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ WMS119N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 300 шт
 
 — —
A+ LN76076DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS11G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested 100V 11A ＜13.5mΩ ＜17mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 11 TA=25℃ Drain Current ID A 7 TA=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 90 A EAS 121 mJ 2.5 TA=25℃ Total Power Dissipation C PD W 1 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 40 50 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS11G10A F2 Q11G10A 4000 8000 64000 7“ reel 1/7 S-E447 Rev.1.0,28-Sep-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS11G10A 

Дата модификации: 28.09.2023

Размер: 496.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)