LMBTA55LT1G

LRC
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA55LT1G LMBTA56LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 1 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value LMBTA55 LMBTA56 Collector–Emitter Voltage V CEO –60 –80 Vdc Collector–Base Voltage V CBO –60 –80 Vdc Emitter–Base Voltage V Collector Current — Continuous EBO IC CASE 318–08...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ LBTP560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ LMBTA56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 145 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Driver Transistors PNP Silicon LMBTA55LT1G LMBTA56LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 1 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value LMBTA55 LMBTA56 Collector–Emitter Voltage V CEO –60 –80 Vdc Collector–Base Voltage V CBO –60 –80 Vdc Emitter–Base Voltage V Collector Current — Continuous EBO IC CASE 318–08, STYLE 6 SOT–23 (TO–236AB) Unit –4.0 Vdc –500 mAdc 3 COLLECTOR 1 BASE 2 EMITTER THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit PD 225 mW R θJA PD 1.8 556 300 mW/°C °C/W mW R θJA T J , T stg 2.4 417 –55 to +150 mW/°C °C/W °C Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature DEVICE MARKING LMBTA55LT1G = 2H; LMBTA56 LT1G = 2GM ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.) Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Collector–Emitter Breakdown Voltage (3) (I C = –1.0 mAdc, I B= 0 ) V LMBTA55 LMBTA56 Emitter–Base Breakdown Voltage V Vdc (BR)CEO (BR)EBO –60 –80 — — –4.0 — Vdc — –0.1 µAdc (I E = –100 µAdc, I C = 0 ) Collector Cutoff Current ( V CE = –60Vdc, I B = 0) Collector Cutoff Current ( V CB = –60Vdc, I E= 0) LMBTA55 — –0.1 ( V CB = –80Vdc, I E= 0) LMBTA56 — –0.1 I CES µAdc I CBO 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. 3. Pulse Test: Pulse Width <300 µs, Duty Cycle <2.0%. Rev.O 1/3 PDF
Документация на LMBTA55LT1G 

a1

Дата модификации: 27.08.2012

Размер: 84.7 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)