LH8550QLT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
LH8550PLT1G
Series
S-LH8550PLT1G
Series
FEATURE
ƽHigh current capacity in compact package.
IC =-1.5A.
ƽEpitaxial planar type.
ƽPNP complement: LH8550
3
ƽPb-Free Package is available.
ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and
PPAP Capable
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: LH8550
- Корпус: SOT-23-3
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-23-3 | |
|---|---|---|
| Тип проводимости и конфигурация |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Коэффициент усиления по току |  | |
| Примечание | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | LBSS5250Y3T1G (LRC) | SOT-89 |  | — | — |  |  |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.