CRTD055N03L
CRTD055N03L
Trench N-MOSFET 30V, 4.3mΩ, 58A
华润微电子(重庆)有限公司
Features
Product Summary
• Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology
VDS
30V
• Extremely low on-resistance RDS(on)
RDS(on) typ.
4.3mΩ
• Excellent QgxRDS(on) product(FOM)
ID
58A
• Qualified according to JEDEC criteria
100% DVDS Tested
Applications
100% Avalanche Tested
• Motor control and drive
• Battery manag...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | WMO80N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P= | NCE3065K (NCE) | TO252 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P= | CJU100N03S (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P= | YJD50N03A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | NTD4804NT4G (YOUTAI) | TO-252-3 |
| — | — | ||||||||||||
A+ | CJAC90N04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB31430DN (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB108N03T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG150N03A (YJ) | — | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJD180N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTC035N04A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMK180N03TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK180N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMO150N03T1 (WAYON) | TO252 | в коробках 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | CJP140N04 (JSCJ) | TO-220-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | 30N03A (YOUTAI) | TO252 | 100 шт | — | ± | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CRTD055N03L
CRTD055N03L Keywords:
Дата модификации: 12.08.2019
Размер: 538.8 Кб
9 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.