WMB018N04LG2
WMB018N04LG2
40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB018N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
D
D
D
D
D
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
s
ss
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
DD
G
ss
G
PDFN5060-8L
Features
...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJAC2R0SN04C (JSCJ) | — |  |  | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | CJAC130SN04L (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| P- | JMSL0401AG (JIEJIE) | — |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | |||
| P- | HGQ014N04A-G (CRMICRO) | PDFN568 |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | |||
| P- | CRSM020N04L2 (CRMICRO) | — |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | |||
| P- | JMSL0402BG (JIEJIE) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | BSC022N04LS (EVVO) | — | 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | NCEP40T11G (NCE) | — |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | |||
| P- | NCEP40T15GU (NCE) | — |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJG130G04A (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJG200G04AR (YJ) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSH0402BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJAC130SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC140SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | TQM025NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — | ||
| A+ | TSM025NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | TSM025NB04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | CJAC200SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | JMSL0401BG (JIEJIE) | — |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB018N04LG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 29.07.2022
Размер: 559.5 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.